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SI7434DP-T1-GE3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7434DP-T1-GE3복사
주문 코드2132253
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.129ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
6V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.129ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000298