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SI7454DDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,356 |
| 10+ | ₩1,912 |
| 100+ | ₩1,361 |
| 500+ | ₩1,075 |
| 1000+ | ₩885 |
| 5000+ | ₩866 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7454DDP-T1-GE3
주문 코드2283675
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation29.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI7454DDP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server, full/half-bridge DC-to-DC and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272