페이지 인쇄
SI7611DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 56주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,475 |
| 10+ | ₩2,216 |
| 100+ | ₩1,903 |
| 500+ | ₩1,530 |
| 1000+ | ₩1,389 |
| 5000+ | ₩1,313 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩3,475
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7611DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드2335367
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI7611DN-T1-GE3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI7611DN-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005