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SI7850DP-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩3,431 | ₩17,155 |
| 총계 가격 | ₩17,155 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩3,431 |
| 50+ | ₩2,892 |
| 100+ | ₩2,352 |
| 500+ | ₩1,805 |
| 1500+ | ₩1,769 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7850DP-T1-E3
주문 코드
리릴링1470136RL
컷 테이프1470136
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10.3A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The SI7850DP-T1-E3 is a 60V N-channel fast switching TrenchFET® Power MOSFET with low thermal resistance and low 1.07mm profile. Suitable for secondary synchronous rectifier and primary side switch for 24VDC/DC applications.
- ±20V Gate-source voltage
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.3A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00022