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SI7942DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.041 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7942DP-T1-GE3
주문 코드3772787
Product RangeTrench Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.041ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.041ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.041ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.041ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001