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SI8916EDB-T6-E1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,164 |
| 10+ | ₩718 |
| 100+ | ₩462 |
| 500+ | ₩353 |
| 1000+ | ₩268 |
| 5000+ | ₩220 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI8916EDB-T6-E1복사
주문 코드
컷 테이프4777215
컷 테이프4777215RL
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.075ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleMicroFOOT 2x2NB
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel770mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.075ohm
Transistor Case Style
MicroFOOT 2x2NB
Power Dissipation N Channel
770mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001