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SIA108DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA108DJ-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링3104153RL
컷 테이프3104153
Product RangeTrenchFET Gen IV
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,519 | ₩7,595 |
| 총계 가격 | ₩7,595 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,519 |
| 50+ | ₩1,264 |
| 100+ | ₩1,008 |
| 500+ | ₩719 |
| 1500+ | ₩705 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA108DJ-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링3104153RL
컷 테이프3104153
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.009