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SIA445EDJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 12 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,627 | ₩1,627 |
| 총계 가격 | ₩1,627 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,627 |
| 10+ | ₩791 |
| 100+ | ₩633 |
| 500+ | ₩489 |
| 1000+ | ₩462 |
| 5000+ | ₩434 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA445EDJ-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임141주
주문 코드
리릴링2283656RL
컷 테이프2283656
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIA445EDJ-T1-GE3의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012