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SIA517DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA517DJ-T1-GE3
주문 코드2889717
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel6.5W
Power Dissipation P Channel6.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
6.5W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
6.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.025