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SIDR170DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR170DP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임53주
주문 코드
리릴링3517211RL
컷 테이프3517211
Product RangeTrenchFET Gen IV
귀하의 부품 번호
728 재고
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩6,862 | ₩6,862 |
| 총계 가격 | ₩6,862 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,862 |
| 10+ | ₩3,498 |
| 100+ | ₩3,165 |
| 500+ | ₩2,632 |
| 1000+ | ₩2,580 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR170DP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임53주
주문 코드
리릴링3517211RL
컷 테이프3517211
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
95A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.017373