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SIDR390DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 800 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR390DP-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2857068RL
컷 테이프2857068
Product RangeTrenchFET Gen IV
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제조업체 표준 리드 타임: 56주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩6,205 | ₩6,205 |
| 총계 가격 | ₩6,205 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,205 |
| 10+ | ₩4,074 |
| 100+ | ₩2,880 |
| 500+ | ₩2,419 |
| 1000+ | ₩2,371 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR390DP-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2857068RL
컷 테이프2857068
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIDR390DP-T1-GE3의 대체 제품
6개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000272