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SIDR608EP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR608EP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4246971RL
컷 테이프4246971
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,557 | ₩5,557 |
| 총계 가격 | ₩5,557 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,557 |
| 10+ | ₩3,643 |
| 100+ | ₩2,548 |
| 500+ | ₩2,335 |
| 1000+ | ₩2,122 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR608EP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4246971RL
컷 테이프4246971
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id228A
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
228A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
SIDR608EP-T1-RE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001