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SIEH3114EW-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 267 A, 2550 µohm, PowerPAK SW, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,315 |
| 10+ | ₩923 |
| 100+ | ₩716 |
| 500+ | ₩571 |
| 1000+ | ₩499 |
| 5000+ | ₩467 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIEH3114EW-T1-GE3복사
주문 코드4898999
Product RangeTrenchFET Gen III Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id267A
Drain Source On State Resistance2550µohm
Transistor Case StylePowerPAK SW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation417W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
267A
Transistor Case Style
PowerPAK SW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
417W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2550µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0005