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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHA105N60EF-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임35주
주문 코드3365526
Product RangeEF IV Gen
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIHA105N60EF-GE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001