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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHB30N60E-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임32주
주문 코드2079779
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
The SIHB30N60E-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy, Motor Drive & Control
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00143