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SIHG085N60EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Through Hole
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|---|---|
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHG085N60EF-GE3
주문 코드4139031
Product RangeEF Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.073ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation184W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
184W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00036