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제조업체 표준 리드 타임: 26주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩12,783 |
| 10+ | ₩8,997 |
| 100+ | ₩7,284 |
| 500+ | ₩5,817 |
| 1000+ | ₩5,701 |
| 5000+ | ₩5,585 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHG33N65EF-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임26주
주문 코드2576518
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.6A
Drain Source On State Resistance0.109ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.6A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.109ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.007983