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SIHP12N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,227 |
| 10+ | ₩2,307 |
| 100+ | ₩1,911 |
| 500+ | ₩1,798 |
| 1000+ | ₩1,472 |
| 5000+ | ₩1,443 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHP12N65E-GE3
주문 코드3929224
Product RangeE Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001