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SIHS36N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Through Hole
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHS36N50D-GE3
주문 코드3650271
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
Transistor Case StyleSuper-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation446W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
SVHCTo Be Advised
SIHS36N50D-GE3의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
Super-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Switzerland
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Switzerland
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001