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제조업체 표준 리드 타임: 32주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,153 |
| 10+ | ₩1,955 |
| 100+ | ₩1,281 |
| 500+ | ₩1,008 |
| 1000+ | ₩780 |
| 5000+ | ₩648 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHU2N80AE-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임32주
주문 코드3586073
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance2.9ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001