페이지 인쇄
SIR572DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 59.7 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR572DP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임50주
주문 코드
리릴링3773155RL
컷 테이프3773155
Product RangeTrenchFET Gen V
귀하의 부품 번호
1,590 재고
12,000 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
1,590 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,267 | ₩5,267 |
| 총계 가격 | ₩5,267 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,267 |
| 10+ | ₩3,417 |
| 100+ | ₩2,368 |
| 500+ | ₩1,918 |
| 1000+ | ₩1,834 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR572DP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임50주
주문 코드
리릴링3773155RL
컷 테이프3773155
Product RangeTrenchFET Gen V
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id59.7A
Drain Source On State Resistance0.0108ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation92.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59.7A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
92.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0108ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001