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SIRS4401DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩7,808 | ₩7,808 |
| 총계 가격 | ₩7,808 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩7,808 |
| 10+ | ₩5,154 |
| 100+ | ₩3,648 |
| 500+ | ₩3,100 |
| 1000+ | ₩3,038 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIRS4401DP-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4199568RL
컷 테이프4199568
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id198A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
198A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074