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SIRS5100EPW-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 203 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO-SW, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,428 |
| 10+ | ₩3,068 |
| 100+ | ₩2,224 |
| 500+ | ₩2,004 |
| 1000+ | ₩1,927 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIRS5100EPW-T1-RE3복사
주문 코드4921984
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id203A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-SW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation205W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
203A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-SW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
205W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001