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SIS410DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 56주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,477 |
| 10+ | ₩1,570 |
| 100+ | ₩1,047 |
| 500+ | ₩849 |
| 1000+ | ₩802 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS410DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드1779235
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation5.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
SIS410DN-T1-GE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000071