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SIS9122DN-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 7.1 A, 0.16 ohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS9122DN-T1-GE3복사
주문 코드
리릴링4349354RL
컷 테이프4349354
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩2,472 | ₩12,360 |
| 총계 가격 | ₩12,360 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,472 |
| 10+ | ₩1,561 |
| 100+ | ₩1,020 |
| 500+ | ₩890 |
| 1000+ | ₩756 |
| 5000+ | ₩633 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS9122DN-T1-GE3복사
주문 코드
리릴링4349354RL
컷 테이프4349354
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7.1A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.16ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel17.8W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.16ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
17.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000013