페이지 인쇄
SIS932EDN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS932EDN-T1-GE3
주문 코드2846633
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.018ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC0
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.018ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
0
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074