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SIS9446DN-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 34 A, 9800 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS9446DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4241532RL
컷 테이프4241532
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,351 | ₩3,351 |
| 총계 가격 | ₩3,351 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,351 |
| 10+ | ₩2,134 |
| 100+ | ₩1,436 |
| 500+ | ₩1,138 |
| 1000+ | ₩931 |
| 5000+ | ₩913 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS9446DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4241532RL
컷 테이프4241532
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel34A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel9800µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
34A
Drain Source On State Resistance N Channel
9800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
SIS9446DN-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000074