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SISA18ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩853 | ₩4,265 |
| 총계 가격 | ₩4,265 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩853 |
| 50+ | ₩805 |
| 100+ | ₩756 |
| 500+ | ₩573 |
| 1500+ | ₩562 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISA18ADN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2364101RL
컷 테이프2364101
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id38.3A
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation19.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC power supplies, high current power rails in computing, telecom POL and bricks and battery protection.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38.3A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SISA18ADN-T1-GE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000078