페이지 인쇄
SISD5110DN-T1-UE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISD5110DN-T1-UE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4588052RL
컷 테이프4588052
Product RangeTrenchFET Gen V Series
귀하의 부품 번호
6,050 재고
더 필요하세요?
6,050 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,228 | ₩5,228 |
| 총계 가격 | ₩5,228 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,228 |
| 10+ | ₩3,619 |
| 100+ | ₩2,769 |
| 500+ | ₩2,184 |
| 1000+ | ₩1,911 |
| 5000+ | ₩1,798 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISD5110DN-T1-UE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4588052RL
컷 테이프4588052
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001