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SISHA06DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISHA06DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4246967RL
컷 테이프4246967
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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제조업체 표준 리드 타임: 56주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,247 | ₩3,247 |
| 총계 가격 | ₩3,247 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,247 |
| 10+ | ₩2,002 |
| 100+ | ₩1,104 |
| 500+ | ₩868 |
| 1000+ | ₩693 |
| 5000+ | ₩676 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISHA06DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4246967RL
컷 테이프4246967
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8SH
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
104A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8SH
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001