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SIZ342DDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 33.6 A, 9200 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ342DDT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드
리릴링4541165RL
컷 테이프4541165
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩825 | ₩825 |
| 총계 가격 | ₩825 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩825 |
| 10+ | ₩587 |
| 100+ | ₩531 |
| 500+ | ₩437 |
| 1000+ | ₩397 |
| 5000+ | ₩371 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ342DDT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드
리릴링4541165RL
컷 테이프4541165
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel33.6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel9200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
33.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
9200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001