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SIZ346DT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 30 A, 8400 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ346DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드
리릴링4246805RL
컷 테이프4246805
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,645 | ₩1,645 |
| 총계 가격 | ₩1,645 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,645 |
| 10+ | ₩1,027 |
| 100+ | ₩675 |
| 500+ | ₩523 |
| 1000+ | ₩437 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ346DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드
리릴링4246805RL
컷 테이프4246805
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel8400µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
8400µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000074