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SIZ926DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 3800 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ926DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드
리릴링2747682RL
컷 테이프2747682
Product RangeTrenchFET Series
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제조업체 표준 리드 타임: 25주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,128 | ₩1,128 |
| 총계 가격 | ₩1,128 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,128 |
| 10+ | ₩1,107 |
| 100+ | ₩1,086 |
| 500+ | ₩1,065 |
| 1000+ | ₩1,044 |
| 5000+ | ₩1,022 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ926DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드
리릴링2747682RL
컷 테이프2747682
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel3800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel3800µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel40W
Power Dissipation P Channel40W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
3800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
40W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
3800µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001