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SIZF4800LDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF4800LDT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임48주
주문 코드
리릴링4241536RL
컷 테이프4241536
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,730 | ₩3,730 |
| 총계 가격 | ₩3,730 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,730 |
| 10+ | ₩1,872 |
| 100+ | ₩1,642 |
| 500+ | ₩1,339 |
| 1000+ | ₩1,255 |
| 5000+ | ₩1,171 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF4800LDT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임48주
주문 코드
리릴링4241536RL
컷 테이프4241536
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel36A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Transistor Case StylePowerPAIR 3 x 3FS
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel56.8W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAIR 3 x 3FS
Power Dissipation N Channel
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
36A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074