페이지 인쇄
SIZF5300DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 2020 µohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF5300DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4006713RL
컷 테이프4006713
Product RangeTrenchFET Gen V Series
귀하의 부품 번호
6,146 재고
더 필요하세요?
6,146 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,351 | ₩5,351 |
| 총계 가격 | ₩5,351 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,351 |
| 10+ | ₩3,484 |
| 100+ | ₩2,401 |
| 500+ | ₩1,951 |
| 1000+ | ₩1,885 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF5300DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4006713RL
컷 테이프4006713
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel125A
Continuous Drain Current Id P Channel125A
Drain Source On State Resistance N Channel2020µohm
Drain Source On State Resistance P Channel2020µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel56.8W
Power Dissipation P Channel56.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
125A
Drain Source On State Resistance P Channel
2020µohm
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
56.8W
Product Range
TrenchFET Gen V Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
125A
Drain Source On State Resistance N Channel
2020µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001