페이지 인쇄
SQ2337CES-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 2.2 A, 0.29 ohm, TO-236, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ2337CES-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드
리릴링4853682RL
컷 테이프4853682
Product RangeTrenchFET Series
귀하의 부품 번호
981 재고
12,000 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
981 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,985 | ₩9,925 |
| 총계 가격 | ₩9,925 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,985 |
| 10+ | ₩1,369 |
| 100+ | ₩867 |
| 500+ | ₩537 |
| 1000+ | ₩277 |
| 5000+ | ₩218 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ2337CES-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드
리릴링4853682RL
컷 테이프4853682
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.015