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SQ3987EV-T1_GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ3987EV-T1_GE3
주문 코드2932988
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.67W
Power Dissipation P Channel1.67W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.67W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.67W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003