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SQ4946CEY-T1_BE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4946CEY-T1_BE3복사
주문 코드
리릴링4825529RL
컷 테이프4825529
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩2,283 | ₩11,415 |
| 총계 가격 | ₩11,415 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,283 |
| 10+ | ₩1,407 |
| 100+ | ₩956 |
| 500+ | ₩814 |
| 1000+ | ₩695 |
| 5000+ | ₩587 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4946CEY-T1_BE3복사
주문 코드
리릴링4825529RL
컷 테이프4825529
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.04ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.04ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001