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SQ4946CEY-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4946CEY-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링3587059RL
컷 테이프3587059
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,406 | ₩7,030 |
| 총계 가격 | ₩7,030 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,406 |
| 50+ | ₩1,173 |
| 100+ | ₩938 |
| 500+ | ₩736 |
| 1000+ | ₩673 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4946CEY-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링3587059RL
컷 테이프3587059
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel4W
Power Dissipation P Channel4W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHC0
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
4W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000403