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SQ4949EY-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual P Channel, 30 V, 7.5 A
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4949EY-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드
리릴링4853753RL
컷 테이프4853753
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,352 | ₩3,352 |
| 총계 가격 | ₩3,352 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,352 |
| 10+ | ₩1,636 |
| 100+ | ₩1,476 |
| 500+ | ₩1,381 |
| 1000+ | ₩1,286 |
| 5000+ | ₩1,191 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4949EY-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드
리릴링4853753RL
컷 테이프4853753
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel7.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.051ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.051ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015