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SQ4961CEY-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual P Channel, 60 V, 4.4 A
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4961CEY-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4856005RL
컷 테이프4856005
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩317 | ₩1,585 |
| 총계 가격 | ₩1,585 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩317 |
| 10+ | ₩209 |
| 100+ | ₩137 |
| 500+ | ₩96 |
| 1000+ | ₩70 |
| 5000+ | ₩59 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4961CEY-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4856005RL
컷 테이프4856005
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001