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SQJ110ELP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 125 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ110ELP-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4856006RL
컷 테이프4856006
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩4,414 | ₩22,070 |
| 총계 가격 | ₩22,070 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩4,414 |
| 10+ | ₩2,798 |
| 100+ | ₩1,839 |
| 500+ | ₩1,426 |
| 1000+ | ₩1,177 |
| 5000+ | ₩1,067 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ110ELP-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4856006RL
컷 테이프4856006
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id125A
Drain Source On State Resistance5800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation245W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
125A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
245W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
5800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001