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SQJ164ELP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ164ELP-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임27주
주문 코드
리릴링3773145RL
컷 테이프3773145
Product RangeTrenchFET Gen IV
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제조업체 표준 리드 타임: 27주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩984 | ₩984 |
| 총계 가격 | ₩984 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩984 |
| 10+ | ₩886 |
| 100+ | ₩833 |
| 500+ | ₩774 |
| 1000+ | ₩722 |
| 5000+ | ₩695 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ164ELP-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임27주
주문 코드
리릴링3773145RL
컷 테이프3773145
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation187W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001