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SQJ912DEP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 5900 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ912DEP-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임36주
주문 코드
리릴링3586082RL
컷 테이프3586082
Product RangeTrenchFET Series
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제조업체 표준 리드 타임: 36주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,433 | ₩2,433 |
| 총계 가격 | ₩2,433 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,433 |
| 10+ | ₩1,599 |
| 100+ | ₩1,029 |
| 500+ | ₩808 |
| 1000+ | ₩780 |
| 5000+ | ₩752 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ912DEP-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임36주
주문 코드
리릴링3586082RL
컷 테이프3586082
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel5900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel5900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHC0
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
5900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
5900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000419