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SQJB48EP-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 30 A, 4100 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJB48EP-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4246973RL
컷 테이프4246973
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,578 | ₩3,578 |
| 총계 가격 | ₩3,578 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,578 |
| 10+ | ₩2,302 |
| 100+ | ₩1,553 |
| 500+ | ₩1,238 |
| 1000+ | ₩1,107 |
| 5000+ | ₩1,071 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJB48EP-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4246973RL
컷 테이프4246973
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel4100µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
4100µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001