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SQJB60EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJB60EP-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링2663702RL
컷 테이프2663702
Product RangeTrenchFET Series
귀하의 부품 번호
3,069 재고
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩2,388 | ₩11,940 |
| 총계 가격 | ₩11,940 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,388 |
| 50+ | ₩1,998 |
| 100+ | ₩1,607 |
| 500+ | ₩1,164 |
| 1500+ | ₩1,141 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJB60EP-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링2663702RL
컷 테이프2663702
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000123