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SQRS160EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 373 A, 980 µohm, PowerPAK SO-8SW, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQRS160EP-T1_GE3복사
주문 코드
컷 테이프4777223
컷 테이프4777223RL
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,879 |
| 10+ | ₩3,380 |
| 100+ | ₩2,451 |
| 500+ | ₩2,208 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQRS160EP-T1_GE3복사
주문 코드
컷 테이프4777223
컷 테이프4777223RL
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance980µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8SW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation270W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8SW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
270W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
980µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001