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SQS141ELNW-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 101 A, 7400 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQS141ELNW-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링4014736RL
컷 테이프4014736
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
귀하의 부품 번호
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,671 | ₩8,355 |
| 총계 가격 | ₩8,355 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,671 |
| 50+ | ₩1,390 |
| 100+ | ₩1,109 |
| 500+ | ₩795 |
| 1500+ | ₩780 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQS141ELNW-T1_GE3복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링4014736RL
컷 테이프4014736
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance7400µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8SLW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation192W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
101A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
7400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001