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SQS576ENW-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 25 A, 0.04 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQS576ENW-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4856015RL
컷 테이프4856015
Product RangeTrenchFET Gen V Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩2,256 | ₩11,280 |
| 총계 가격 | ₩11,280 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,256 |
| 10+ | ₩1,430 |
| 100+ | ₩940 |
| 500+ | ₩729 |
| 1000+ | ₩602 |
| 5000+ | ₩546 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQS576ENW-T1_GE3복사
주문 코드
리릴링4856015RL
컷 테이프4856015
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8SLW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation84W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
84W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001