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SUD50P04-08-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,734 |
| 10+ | ₩2,384 |
| 100+ | ₩1,599 |
| 500+ | ₩1,296 |
| 1000+ | ₩1,086 |
| 5000+ | ₩1,065 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SUD50P04-08-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드1794811
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance8100µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation73.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
The SUD50P04-08-GE3 from Vishay is a surface mount, 40V P channel TrenchFET power MOSFET in TO-252 package. This device is used as power switch, DC to DC converters and load switch in high current applications.
- Drain to source voltage (Vds) of -40V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -50A
- Power dissipation (Pd) of 73.5W
- Low on state resistance of 9.7mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
8100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000687